c3RfcmVmZXIiOiJ3YXB5ZHlqeH

急 两水平放置的平行金属板MN如图4-4-10所示,两水平放置的平行金属板MN放在匀强磁场中,导线ab贴着MN边缘以速度v向右匀速滑动,当一带电粒子以水平速度v0射入两板间后,能保持匀速直线运动, 1.下面哪组的线段可以围成一个三角形.A.2cm 5cm 9cm B.7cm 8cm 9cm C.1cm 2cm 3cm D.10cm 5cm 4cm2.把一个圆柱削成一个最大的圆锥,削去的部分是圆柱的（） 以下列线段为边能做三角形的是( ) A 2cm 3cm 5cm B4cm 4cm 9cm C 1cm 2cm 3cm D 2cm 3cm 4cm 连通一电源的平行板电容器的电势差变化,电荷量,场强与电容分别有何变化 如图所示,在水平放置的光滑接地金属板中点的正上方,有带正电的点电荷Q,一表面绝缘带正电的金属球(可视为质点,且不影响原电场)自左以速度v0开始在金属板上向右运动,在运动过程中 日已耗尽的意思 如图所示,是一对彼此绝缘相距d＝5cm的平行金属带电极板MN,N板接地,M板带电量的绝对值为Q=6×10^-6C.在两极板MN间A点有一带电量为q＝4×10^-6C的带电液滴,其质量m＝4×10^-4kg,恰好处于静止状态.求 如果一个电荷沿着场强方向移动了一个小距离,电势能是增加还是减小了?与电荷符号有关吗? 半导体物理中“空间电荷区”、“耗尽层”、“势垒区”三者的含义一样吗? 求闭合曲面的电通量,有些地方不懂1.计算玻尔氢原子中的电子量子轨道跃迁时，氢原子辐射光子的波长。ν=c/λ=(En-Ek)/h En=me^4/8ξ²h²n² 波长λ=8ξ²h²n1²n2²/me^4(n1²-n2 半导体的全耗尽是什么意思?英文即是fully depleted 半导体物理学：耗尽层近似的局限性 快要耗尽的意思的成语是什么 如图中,有斜影线的是一块宽大的接地金属板的截面,在板的右侧面附近的P点有一固定的、带电+q的点电荷,当金属板处于静电平衡时：A、板的右侧面上分布有负的感应电荷,而在左侧面上无感 如图所示,带负电的点电荷旁有一接地大金属板,A为金属板内一点,B为金属板左侧外表面上一点,下列关于金属板上感应电荷在A点和B点的场强方向判断正确的是A．感应电荷在A点的场强沿E1方向B 任选长为13cm,10cm.7cm.5cm.的四条线段中的三条线段为边,可以组成三角形的个数是（）a.1.b2c3d4 弛豫和弛豫时间的名词解释 非德拜型弛豫的解释我做的是钛酸盐,要这些名词的解释,最好能给点和功能陶瓷材料有关的信息是压电陶瓷，在做阻抗的时候会提到这个问题，所以想搞清楚是怎么一回事 谁能给我解释一下动能和动量的区别?鄙人是初中生,别讲的太深了.（基本名词我还是知道一些的...）复制的不要回答,看得太费劲了 为什么“场强处处为零,因此,没有电通量穿过它”RT 为什么二氧化硅是由原子组成的?为什么二氧化硅不是像二氧化碳一样由分子组成的而是由原子组成的? 为什么说二氧化硅是由原子构成的? 二氧化硅由原子构成?为什么? 为什么二氧化硅是由原子直接构成的? 以Si为例,说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别. SIO2仅用来表示二氧化硅的组成吗 有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在消注入条件下,ΔP(0)= P1­ ; ΔP(W)= P­­2 .问：片内非平衡载流子分布仅与时间有关,还 闭合曲面上各点场强为0,面内电荷代数和必为0是否正确,为什么? 求下面各圆柱的侧面积.r=2.5cm h=1cm d=2cm h=1cm r=5cm h=9cm r=7cm h=10cm c=12.5cm h=40cm . 半导体物理中的重掺杂的概念? 二氧化硅的结构相当于在硅晶体结构中每个硅硅单键之间插入1个氧原子,30g二氧化硅晶体中硅氧单键的数目约是几NA? 关于SiO2的结构的问题.SiO2的结构不是向空间无限延伸吗?但我想问一下,那个延伸什么时候是个头啊?因为最后一定会剩下得不到电子原子.SiO2的结构不是向空间无限延伸吗？那个延伸什么时候