英语翻译关于高分子材料的.翻译的好的话,我把我所有分的都贡献出来.Abstract:This work presents polymer photovoltaic devices based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod hybrid bulk heterojunctions.Interface modific

英语翻译关于高分子材料的.翻译的好的话,我把我所有分的都贡献出来.Abstract:This work presents polymer photovoltaic devices based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod hybrid bulk heterojunctions.Interface modific
英语翻译
关于高分子材料的.翻译的好的话,我把我所有分的都贡献出来.
Abstract:This work presents polymer photovoltaic devices based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod hybrid bulk heterojunctions.Interface modification of a TiO2 nanorod surface is conducted to yield a very promising device performance of 2.20% with a short circuit current density (Jsc) of 4.33 mA/cm2,an open circuit voltage (Voc) of 0.78 V,and a fill factor (FF) of 0.65 under simulated A.M.1.5 illumination (100 mW/cm2).The suppression of recombination at P3HT/TiO2 nanorod interfaces by the attachment of effective ligand molecules substantially improves device performance.The correlation between surface photovoltage and hybrid morphology is revealed by scanning Kelvin probe microscopy.The proposed method provides a new route for fabricating low-cost,environmentally friendly polymer/inorganic hybrid bulk
heterojunction photovoltaic devices.

英语翻译关于高分子材料的.翻译的好的话,我把我所有分的都贡献出来.Abstract:This work presents polymer photovoltaic devices based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod hybrid bulk heterojunctions.Interface modific
文摘:介绍了聚合物光电器件基于聚3-hexylthiophene)(P3HT andTiO2纳米混合散装垂直).界面改性纳米二氧化钛表面的产量是一个很有前途的设备性能和短路电流2.20%(Jsc)的密度4.33马/平方厘米,开放的电路电压(Voc),一个充满0.78 V的因素(FF 0.65模拟点下100千瓦(15 /平方厘米).抑制重组在二氧化钛纳米介P3HT /附着的有效提高设备性能大幅度分子配体.表面photovoltage之间的关系,揭示了混合形态学凯尔文扫描探针显微镜.所提出的方法提供了一种新的途径制造低成本、环保聚合物/无机杂散
光电器件.异质

摘要： 这工作提出聚合物根据多的光致电压的设备(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod杂种大块异质结。 TiO2 nanorod表面的接口修改被举办产生非常有为的设备表现2.20%与短路电流密度(Jsc) 4.33 mA/cm2、开放电路电压(Voc) 0.78 V和积土因素(FF) 0.65在被模仿的上午1.5照明(100 mW/cm2)之下。 再结合镇...

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摘要： 这工作提出聚合物根据多的光致电压的设备(3-hexylthiophene) (P3HT) andTiO2 nanorod杂种大块异质结。 TiO2 nanorod表面的接口修改被举办产生非常有为的设备表现2.20%与短路电流密度(Jsc) 4.33 mA/cm2、开放电路电压(Voc) 0.78 V和积土因素(FF) 0.65在被模仿的上午1.5照明(100 mW/cm2)之下。 再结合镇压在P3HT/TiO2 nanorod接口的由有效的配合基分子的附件极大地改进设备表现。 扫描凯尔文探针显微学显露表面光电压和杂种形态学之间的交互作用。 提出的方法为制造便宜，不伤环境的聚合物或无机杂种大块提供一条新的路线
heterojunction光致电压的设备。

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